个人简介

张进成，男，二级教授，博士生导师，长江学者特聘教授，国家杰出青年基金获得者，国家万人计划领军人才。

分别于1998年、2001年、2004年在西安电子科技大学获得微电子技术专业学术学位（获评学校优秀毕业生标兵，1/10全校）、微电子学与固体电子学硕士学位（获评学校优秀硕士论文一等奖，1/2全校）、微电子学与固体电子学博士学位（获批学校博士生特等奖学金，1/1全校）。2001年3月留校任教，分别于2003年、2005年、2009年晋升讲师、副教授和教授（破格），2010年被聘任为博士生导师。2008年起担任宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任，2016年起担任陕西省石墨烯联合实验室（西电分部）主任，2019年起担任半导体国家工程研究中心副主任。2014年6月至8月在比利时鲁汶大学（欧洲微电子研究中心IMEC）作访问学者。2019年9月至11月在国家教育行政学院第58期中青年干部培训班学习。2014年10月至2018年8月担任微电子学院副院长，2018年9月至今担任科学研究院院长。

1998年起师从中国科学院院士郝跃教授，从事宽禁带半导体电子材料与器件研究，是我国乃至国际上最早开展宽禁带（第三代）半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。

研究领域

1.宽禁带半导体(GaN)器件、材料与设备;

2.微波毫米波太赫兹集成电路与工艺;

3.超宽禁带半导体(金刚石、氧化镓、氮化铝)器件、材料与设备;

4.石墨烯及二维半导体器件与材料;

5.柔性新能源与可穿戴器件。