狄增峰,男,研究员,博士生导师,自然科学基金委“杰出青年基金”获得者、国家级人才项目入选者、自然科学基金委“优秀青年基金”获得者、全国优秀博士学位论文获得者。2001年本科毕业于南京大学,2006年在中国科学院上海微系统与信息技术研究所获得博士学位,其中2004年3月至2005年9月在香港城市大学物理与材料科学系进行联合培养。2006年至2010年在美国能源部Los Alamos国家实验室从事博士后研究工作。2010年9月作为海外杰出人才引进,被中国科学院上海微系统与信息技术研究所聘为研究员。
长期从事SOI材料、电子器件及相关技术应用和基础研究工作, 主要针对微电子技术器件特征尺寸缩小带来短沟道效应、迁移率退化的物理难题,开展高端SOI材料,包括全耗尽SOI材料、应变SOI(sSOI)、绝缘体上锗(GeOI)和绝缘体上石墨烯(GrOI)应用基础研究工作。研究成果在Materials Science and Engineering: R、Nature Communications、 Advanced Materials、Nano Letters等杂志共发表SCI论文130余篇。共授权国内发明专利91件,授权国际发明专利6件。
曾获得全国百篇优秀博士学位论文(2008)、中国科学院院长奖特别奖(2006)、美国Los Alamos国家实验室主任基金(2006)和中国科学院优秀博士学位论文(2007)。2010年入选中科院人才项目(2015年终期评估优秀),2011年入选上海市“浦江人才计划”,2012年获得国家自然科学基金委“优秀青年基金”支持,2015年获得国家级青年拔尖人才支持,2016年入选上海市优秀学术带头人、中国科学院上海分院杰出青年,2017年入选国家级人才工程国家级人选,2018年入选国家级领军人才、国务院政府特殊津贴。2019年获得国家自然科学基金委“杰出青年基金”支持。
1.离子与固体相互作用;
2.新型半导体材料;
3.SOI材料与器件;
4.微纳机构操控。