个人简介

何珂，男，清华大学物理系教授，2006年获得中科院物理研究所博士学位。主要从事拓扑量子材料和效应方面的实验研究工作，是量子反常霍尔效应首次实验实现的主要研究负责人之一。曾获中国科学院杰出科技成就集体奖、国家杰出青年科学基金、中国青年科技奖、日本仁科芳雄亚洲奖、中组部万人计划“青年拔尖人才”、教育部青年长江学者等奖励或荣誉。

首次实现了宽禁带半导体GaN表面上磁性超薄膜的分子束外延生长和垂直磁各向异性。成功制备出具有巨大Rashba自旋轨道劈裂表面态的Ag量子阱薄膜并观测到Rashba劈裂表面态与量子阱态的强烈的相互作用，实验证明了这种作用的自旋选择性及其引起的量子阱态的自旋劈裂。实现了Bi2Se3系列三维拓扑绝缘体薄膜的逐层外延生长，首次观测到三维拓扑绝缘体相对表面态的杂化导致的能隙打开。2010年获中科院物理所“科技新人奖”。2011年获中国科学院卢嘉锡青年人才奖。共发表论文约二十余篇，其中Phys. Rev. Lett. 5篇（第一作者2篇），Nature Physics 2篇 （通讯作者1篇）。曾在美国物理学年会、美国磁学与磁性材料会议（3M会议）等国际会议和研讨会上做邀请报告。

研究领域

1.表面、界面与低维物理；

2.拓扑绝缘体；

3.自旋电子学；

4.量子霍尔相关现象；

5.分子束外延；

6.角分辨光电子能谱；

7.扫描隧道显微镜。