个人简介

王新强，男，1975年8月出生。现为北京大学物理学院研究员，主要从事宽禁带半导体材料、物理与器件研究，尤其是InN基半导体材料的分子束外延生长及其器件制作研究。利用分子束外延法实现了高室温电子迁移率InN薄膜材料，系统研究了InN的p型掺杂并实现了InN基超薄层量子结构。王新强先后发表SCI论文100余篇，SCI引用超过1500次，在国内外学术会议上做邀请报告近30次，担任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”编辑；2012年获得杰出青年基金。

研究领域

1.半导体光电子学。