个人简介

于1965年从清华大学无线电电子学系毕业；1979年至1981年在西德慕尼黑技术大学物理系从事研究工作；1986年担任中国科学院半导体研究所研究员；1989年至1995年担任半导体超晶格国家重点实验室主任；1990年被聘为博士生导师；1995年至2002年担任中国科学院半导体研究所所长 ；1995年当选为中国科学院院士；2008年获得何梁何利基金科学与技术进步奖；2008年担任北京邮电大学理学院院长。

郑厚植自1979年以来长期从事半导体低维量子结构物理及新器件探索，所在的半导体超晶格国家重点实验室具备先进而齐全的超薄半导体材料生长，光学/电学测试手段。包括：4台分子束外延系统（MBE）（1新、3旧）；各种稳态、时间分辨和非线性光谱系统（飞秒瞬态激光光谱，拉曼光谱，付里叶光谱，PL、PLE光谱，磁光和时间分辨法拉第旋转光谱）；低温强磁场系统和各种电学测试手段。研究所新建的“半导体集成技术中心”可以提供先进而配套的纳米加工手段。

郑厚植在半导体低维量子结构中的新效应研究方面取得多项重要成果：首次揭示了量子霍耳效应的尺寸效应和霍耳电势的空间分布特性；首次提出了用分裂栅电极实现准一维电子气的办法，揭示了准一维电子气的新奇量子特性，该方法已扩展成为制备和调控量子比特的重要方案之一；提出了空穴间多体相互作用诱导的磁阻理论并予以了实验验证；研究采用量子效应的新型量子器件等方面做出了许多有价值的成果

研究领域

低维量子结构物理和纳米量子器件；半导体自旋电；学和自旋量子器件；半导体中的量子相干过程、波函数工程和量子相干器件