个人简介

1987年王曦从清华大学毕业后进入中国科学院上海冶金研究所学习，先后获得硕士、博士学位；1996年作为访问学者前往德国罗森多夫研究中心；1998年回国担任离子束国家重点实验室主任，同时担任“高端硅基SOI材料”制备研究项目的负责人；1999年获得国家杰出青年科学基金资助；2001年参与创建了上海新傲科技有限公司；2007年出任上海新傲科技股份有限公司董事长，并担任“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”科技重大专项总体专家组副组长；2009年当选中国科学院院士 ；2010年当选为第11届中华全国青年联合会副主席；2012年被聘为上海市决策咨询委员会成员；2016年当选中国科学技术协会第九届全国委员会副主席；2017年出任中国科学院上海高等研究院院长；2018年出任亚洲科学理事会主席。长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将研究成果应用于电子材料SOI（Silicon-on-insulator）的开发。在对离子注入SOI合成过程中的物理和化学过程研究基础上，自主开发了一系列将SOI材料技术产业化的关键技术，建立了中国SOI材料研发和生产基地。2008年制备出中国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。在载能离子束与固体相互作用以及离子束辅助薄膜沉积技术研究方面，揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学、光学、生物学特性，实现了载能离子束薄膜生长的可控制性。

研究领域

载能粒子束与固体相互作用物理现象；先进电子材料；功能薄层材料的研究与开发